2012年5月8日，推进利用(yòng)TSV(硅通孔)的三维层叠型新(xīn)一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，软件行业巨头美國(guó)微软已加盟该协会。

　　HMC是采用(yòng)三维构造，在逻辑芯片上沿垂直方向叠加多(duō)个DRAM芯片，然后通过TSV连接布線(xiàn)的技术。HMC的最大特征是与既有(yǒu)的DRAM相比，性能(néng)可(kě)以得到极大的提升。提升的原因有(yǒu)二，一是芯片间的布線(xiàn)距离能(néng)够从半导體(tǐ)封装平摊在主板上的传统方法的“cm”单位大幅缩小(xiǎo)到数十μm～1mm;二是一枚芯片上能(néng)够形成1000～数万个TSV，实现芯片间的多(duō)点连接。

　　微软之所以加入HMCC，是因為(wèi)正在考虑如何对应很(hěn)可(kě)能(néng)会成為(wèi)个人電(diàn)脑和计算机性能(néng)提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指随着微处理(lǐ)器的性能(néng)通过多(duō)核化不断提升，现行架构的DRAM的性能(néng)将无法满足处理(lǐ)器的需要。如果不解决这个问题，就会发生即使購(gòu)买计算机新(xīn)产品，实际性能(néng)也得不到相应提升的情况。与之相比，如果把基于TSV的HMC应用(yòng)于计算机的主存储器，数据传输速度就能(néng)够提高到现行DRAM的约15倍，因此，不只是微软，微处理(lǐ)器巨头美國(guó)英特尔等公司也在积极研究采用(yòng)HMC。

　　其实，计划采用(yòng)TSV的并不只是HMC等DRAM产品。按照半导體(tǐ)厂商(shāng)的计划，在今后数年间，从承担電(diàn)子设备输入功能(néng)的CMOS传感器到负责运算的FPGA和多(duō)核处理(lǐ)器，以及掌管产品存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。如果计划如期进行，TSV将担负起输入、运算、存储等電(diàn)子设备的主要功能(néng)。